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Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究

王华

无机材料学报

采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.

关键词: 铁电薄膜 , Bi4Ti3O12 , oriented growth , sol-gel technique

深冲铝板中的再结晶织构与选择生长

聂祚仁 , 张新明 , 尹志民 , 左铁镛

金属学报

利用电子显微分析(TE)和ODF织均分析,研究了纵横轧制铝板再结晶退火前后的织构和再结晶过程.直接观察到再结晶过程中的选择长大,经电子衍射分析了新晶粒的取向,并通过极图分析了各织构组分<111>间的关系结果表明,纵横轧制铝板再结晶过程中存在选择生长现象,并最终决定再结晶织构;面心立方金属中这种取向关系约为40°<111>

关键词: 铝板 , recrystaIlization , texture , oriented growth

压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展

杜红亮 , 张孟 , 苏晓磊 , 周万城 , 裴志斌 , 屈绍波

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00001

由于取向生长技术可以显著地提高压电陶瓷的性能, 并且不会降低材料的居里温度, 故压电陶瓷的晶粒取向生长技术已成为研究的热点. 本文分别从定向凝固技术、多层晶粒生长技术、模板晶粒生长技术和反应模板晶粒生长技术等四个方面,归纳和分析了近年来压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展,并对压电陶瓷晶粒取向生长技术今后的研究和发展提出一些建议.

关键词: 压电陶瓷 , oriented growth , degree of orientation , texured ceramics

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